当地时辰8月23日，半体行业商议机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上甘孜塑料管材设备，钼是选项。
SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数冲突300层后，钨字线在电阻、化学兼容和孔填充三面均波及物理限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，好意思光2025年跟进，SK海力士商酌2026年底出375层钼工艺居品。其揣度，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30。
杰出的，该机构建议，钼千里积开辟将在来岁迎来10亿好意思元的新增市集。
该机构称，每次从钨到钼的颐养，王人意味着需要新的千里积开辟。SemiAnalysis揣度，仅2027年年，NAND钼千里积开辟的销售额就将过10亿好意思元，并跟着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿好意思元/年。
受益格场面，Lam Research（泛林集团）先获益，TEL（东京电子）紧随后来；AMAT（期骗材料）、ASMI（ASM）及Naura（北华创）则多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型海浪。SemiAnalysis暗意，完满的细分市集层面测算已纳入其前说念开辟（WFE）模子。
钼渗入率在层数NAND中栽培甘孜塑料管材设备，内容是为连续NAND单元Bit成本着落弧线。
300层NAND主要在结构飞腾，聚焦宽比通说念孔刻蚀、屡次Stack堆叠、晶圆翘曲放手以及Overlay精度放手。
375层乃至400层以后，材料亟需升，因钨字线会因为字线间距通说念孔收缩面对RC延迟快速恶化、WF残氟致介质损害、走电失率栽培以及填充残障放大的问题。而钼凭借低电阻率、氟先行者体及需拆开层等势，有望RC能与器件可靠，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而连续层数NAND的成本着落弧线。
中银证券暗意，SK海力士已完成375层3D NAND分娩考证并商酌2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层九代3D NAND中领先入钼工艺后，两大存储龙头接踵切换，钼替代钨趋势开发。
然则，钼的材料加工为复杂，隔热条设备因为须以气体状貌运送，且先行者物在室温下为固体，需要加热器以确保流动踏实。
基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简便换靶材概况换气体材料，而是先行者体供给、ALD千里积腔体、刻蚀、清洗、尾气责罚整套工艺链条的重构甘孜塑料管材设备，原有钨CVD产线硬件法径直复用，将径直动晶圆厂老本开支上行，同期开辟、特种材料、部件均迎来变化。
建证券暗意，钼入内容是次全经过工艺重构，开辟链受益有望沿“千里积及先行者体运送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”旅途传，工艺难点由千里积向后责罚武艺蔓延。其中——
千里积：老到的WF钨工艺，Mo千里积需从头确立宽比结构下的填充与残障放手工艺窗口，同期有望减少拆开层使用，带动千里积开辟及配套工艺升；
运送：Mo先行者体经常采用低蒸发固态源，与传统WF气态先行者体体系各别较大，需要新增气化安装、温控管路及精密供气系统，以保险先行者体踏实运送；
CMP：Mo材料的氧化及名义化学特不同于传统金属体系，需从头开发CMP研磨液和研磨垫，以得志平坦化、去除速度及残障放手条目；
清洗：Mo入后残留物及氧化物体系发生变化，宽比结构下金属残留和混浊放手难度栽培，有望动权衡湿法清洗开辟及配套化学品考证入；
刻蚀武艺则需从头确立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数握续栽培下，刻蚀采用、侧壁形色放手及层间均匀条目杰出提，有望带动权衡刻蚀开辟升需求；
量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀、填充残障、金属残留及电学可靠等监控式样，有望带动薄膜量测、残障检测及电测试等开辟需求增长。
该机构称，NAND工艺迭代中枢从单纯堆叠层数转向材料—开辟—工艺协同翻新，新材料入将握续催生千里积、刻蚀、清洗等错误开辟迭代升，Mo字线入将动千里积、刻蚀、清洗等错误武艺工艺升，权衡开辟及部件厂商有望受益。
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